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SFS08R07GF
增强型N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 基于独特的器件设计，可实现低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和优异的雪崩特性。低阈值电压系列专为低驱动电压的同步整流电源系统设计。
- 商品型号
- SFS08R07GF
- 商品编号
- C5175407
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 87W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.028nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟2011/65/EU号RoHS指令
应用领域
- 或门-服务器-直流/直流
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