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OSG60R108KZF
高压MOS
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- 商品型号
- OSG60R108KZF
- 商品编号
- C5175403
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 108mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 101W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6745nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CJU50SN10采用屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 高功率和电流处理能力
- 负载开关
- 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)
- 符合无铅产品要求
- 高EAS下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装，散热性能良好
应用领域
- 开关电源和通用应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
- 电源管理