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OSG60R099KSZF
增强型N沟道功率MOSFET
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- 描述
- GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。GreenMOS Z系列集成了快速恢复二极管（FRD），以缩短反向恢复时间
- 商品型号
- OSG60R099KSZF
- 商品编号
- C5175404
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.94克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 278W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9175nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
GT025N06AM6采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：60V
- 漏极电流（VGS = 10V时的ID）：170A
- 导通状态漏源电阻（VGS = 10V时的RDS(ON)）：< 2mΩ
- 导通状态漏源电阻（VGS = 4.5V时的RDS(ON)）：< 2.5mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器