温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
OSG60R099KSZF
增强型N沟道功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。GreenMOS Z系列集成了快速恢复二极管（FRD），以缩短反向恢复时间
- 商品型号
- OSG60R099KSZF
- 商品编号
- C5175404
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.94克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9175nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术,实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗,提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS Z系列集成了快速恢复二极管(FRD),以最大限度地缩短反向恢复时间。它适用于谐振开关拓扑,以实现更高的效率、更高的可靠性和更小的外形尺寸。
商品特性
- 低RDS(ON)和品质因数(FOM)
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
- 超快且耐用的体二极管
应用领域
-电脑电源-电信电源-服务器电源-电动汽车充电器-电机驱动器