温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
OSG65R900DEF
MOS管
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 商品型号
- OSG65R900DEF
- 商品编号
- C5175406
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 408pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 导通电阻：在栅源电压VGS为 - 4.5V的条件下，漏源导通电阻RDS(on)为1.25欧姆
- 驱动电压：-2.5V
- 环保特性：符合欧盟RoHS标准，无铅
应用领域
- 开关应用
相似推荐
其他推荐