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SFS06R045UNF
增强型N沟道功率MOSFET
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- 描述
- FSMOS MOSFET基于独特的器件设计，实现了低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。低阈值电压（Vth）系列专为低驱动电压的同步整流系统进行了特别优化。
- 商品型号
- SFS06R045UNF
- 商品编号
- C5175402
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50.6pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
G2K8P15K采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压：-150V
- 漏极电流（栅源电压为 -10V 时）：-12A
- 漏源导通电阻（栅源电压为 -10V 时）：< 310 mΩ
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC 转换器