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SFG10S10GF
MOS管
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- 商品型号
- SFG10S10GF
- 商品编号
- C5175400
- 商品封装
- PDFN(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 107W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.998nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FSMOS MOSFET基于独特的器件设计，实现了低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。低阈值电压（Vth）系列专为低驱动电压的同步整流电源系统设计。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)和品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的可靠性和一致性
- 快速开关和软恢复
应用领域
- PD充电器-电机驱动器-开关稳压器-DC-DC转换器-开关模式电源