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SFS15R10GNF
增强型N沟道功率MOSFET
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- 描述
- FSMOS MOSFET基于独特的器件设计，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。高电压系列专为驱动电压超过10V的电源系统而设计。
- 商品型号
- SFS15R10GNF
- 商品编号
- C5175401
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.132nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 60V、200mA，VGS = 10V 时，RDS(ON) = 1.7Ω
- 快速开关
- 有环保器件可选
应用领域
- 笔记本电脑-智能手机-电池保护-手持仪器