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OSG65R360DEF
增强型N沟道功率MOSFET
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- 描述
- GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。GreenMOS (B) E系列针对其开关特性进行了优化，以实现电磁干扰（EMI）和效率之间的平衡
- 商品型号
- OSG65R360DEF
- 商品编号
- C5175399
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 901pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |