温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FJ09NG-H
采用先进平面技术的N沟道MOSFET，低栅极电荷，导通电阻低，散热性好
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 平面工艺/N管/200V/9A/400MΩ/(典型330MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- FJ09NG-H
- 商品编号
- C54556869
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 13W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.27V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.3pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90.3pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的平面技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)），且栅极电荷较低。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 200V，ID = 9A，RDS(ON) < 400mΩ（在VGS = 10V时，典型值为330mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度平面技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好