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BD006PG
P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，散热性好
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- 描述
- P管/40V/90A/5.8MΩ/(典型4.7MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- BD006PG
- 商品编号
- C54557038
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.7075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 101W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 540pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VD5 = -40V，ID = -90A，当VGS = -10V时，RDS(on) < 5.8mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻RDS(on)
- 出色的封装，具备良好的散热性能