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SC7R5PDG
P沟道MOSFET采用先进沟槽技术，具备低栅极电荷和良好散热性能
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- 描述
- P管/30V/18A/7.5MΩ/(典型5.7MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- SC7R5PDG
- 商品编号
- C54557047
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.119克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 345pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 415pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供低栅极电荷的出色导通电阻。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -18A，在栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 7.5mΩ（典型值：5.7mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻
- 出色的封装，利于散热
- 湿度敏感度等级为3级