温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RC520NPG
N+P通道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，超低导通电阻，散热良好
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N+P管/30V/5.5A/24MΩ/(典型18MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- RC520NPG
- 商品编号
- C54557055
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@251uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@11V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 57.7pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（Ron）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- N沟道：VDS = 30V，ID = 5.5A，RDS(ON) < 24mΩ，VGS = 10V（典型值：18mΩ）
- P沟道：VDS = -30V，ID = -3.7A，RDS(ON) < 46mΩ，VGS = -10V（典型值：36mΩ）
- 低栅极电荷
- 有绿色环保器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻
- 优秀的封装，散热性能良好
- 湿度敏感度等级3（MSL3）
- LM-LBX3.2*3.3
- LM-LBX3.2*2.4
- LM-LBX3.2*2.6
- GCZ-M2.5*51
- GJTZ-21V*2
- QGJ-3000W-32*26*3.2mm
- PCT160808-R47-M
- PCT160808-1R0-M
- PCT160808-2R2-M
- PCT201210-R22-M
- PCT201210-R47-M
- PCT201210-1R0-M
- PCT201210-1R5-M
- PCT201210-2R2-M
- PCT201610-R22-M
- PCT201610-R33-M
- PCT201610-R68-M
- PCT201610-1R0-M
- PCT201610-2R2-M
- PCT201610-4R7-M
- PCT252010-R33-M