温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WC007NG
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，适用于多种应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N管/30V/18A/5.5MΩ/(典型5.1MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- WC007NG
- 商品编号
- C54557049
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.244647克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.613nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 214pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 244pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通状态电阻。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（V_DS） = 30V，漏极电流（I_D） = 18A，在栅源电压（V_GS） = 10V时，漏源导通电阻（R_DS(ON)） < 6.5mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通状态电阻
- 出色的封装，散热性能良好