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RC012NG
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，具备低栅极电荷和出色导通电阻，适用于多种应用
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- 描述
- N管/30V/12A/12MΩ/(典型9.2MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- RC012NG
- 商品编号
- C54557054
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054499克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 810pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 111pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）以及低栅极电荷。它可用于各种应用场景。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 12A，在VGS = 10V时RDS(ON) < 12mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有绿色环保器件可供选择