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BJ50NG
N沟道MOSFET采用先进平面技术，低栅极电荷，适用于多种应用
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- 描述
- N管/200V/50A/60MΩ/(典型50MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- BJ50NG
- 商品编号
- C54557040
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.6835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.34nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13.5pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 585pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的平面技术和设计，可提供出色的导通电阻（Rds(on)），且栅极电荷较低。它可用于多种应用场景。
商品特性
- Vds = 200V，Id = 50A，Rds(on) < 60mΩ @ Vgs = 10V
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（Rds(on)）
- 出色的封装，利于散热