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GE5R5NG-H
N沟道MOSFET采用先进沟槽技术，低栅极电荷，适用于多种应用
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- 描述
- N管/60V/130A/5.5MΩ/(典型4.9MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- GE5R5NG-H
- 商品编号
- C54557042
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 269pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 495pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）为60V，漏极电流（ID）为130A，在栅源电压（VGS）为10V时，导通电阻（RDS(ON)）小于5.5mΩ（典型值为4.9mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 出色的封装，散热性能良好
- 快速恢复体二极管