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BC022NG
N沟道MOSFET采用先进沟槽技术，低栅极电荷，适用于多种应用
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- 描述
- N管/30V/35A/20MΩ/(典型18.5MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- BC022NG
- 商品编号
- C54556870
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.2175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 59pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(on)），且栅极电荷较低。它可用于多种应用。
商品特性
- VD5 = 30V，ID = 30A，RDS(ON) < 22mΩ（在VGS = 10V时）
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 出色的封装，散热性能良好