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FDT1600N10ALZ
1个N沟道 耐压:100V 电流:5.6A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDT1600N10ALZ
- 商品编号
- C555479
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 121mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10.42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过优化，可最大限度降低导通电阻并保持卓越的开关性能。
商品特性
- 当VGS = 10 V、ID = 2.8 A时，RDS(on) = 121 mΩ（典型值）
- 当VGS = 5 V、ID = 1.8 A时，RDS(on) = 156 mΩ（典型值）
- 低栅极电荷（典型值2.9 nC）
- 低Crss（典型值2.04 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 消费电器
- LED电视和显示器
- 同步整流
- 不间断电源
- 微型太阳能逆变器