NVTFS4C08NWFTAG
1个N沟道 耐压:30V 电流:17A
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- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 3x3mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS4C08NWFTAG
- 商品编号
- C556434
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.113nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
UniFET™ MOSFET 是一款基于平面条纹和双极结型晶体管（DMOS）技术的高电压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。
商品特性
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗
- NVTFS4C08NWF - 可焊侧翼产品
- NVT 前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC - Q101 标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并符合 RoHS 标准
应用领域
- 照明
- 不间断电源