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NVS4001NT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVS4001NT1G

1个N沟道 耐压:30V 电流:270mA

描述
适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 30V,270mA,1.5Ω,单 N 沟道,SC-70,逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,且符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVS4001NT1G
商品编号
C556465
商品封装
SOT-323-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.09克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)270mA
导通电阻(RDS(on))1Ω@4V
耗散功率(Pd)330mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)1.3nC@4.5V
输入电容(Ciss)33pF@5V
反向传输电容(Crss)12pF@5V
工作温度-55℃~+150℃
配置-

数据手册PDF