温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVS4001NT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:270mA
- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 30V，270mA，1.5Ω，单 N 沟道，SC-70，逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVS4001NT1G
- 商品编号
- C556465
- 商品封装
- SOT-323-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 占位面积小,比TSOP - 6小30%
- 栅极具备ESD保护
- 通过AEC - Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件 - NVS4001N
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
- 低端负载开关
- 锂离子电池供电设备 - 手机、个人数字助理(PDA)、数码相机(DSC)
- 降压转换器
- 电平转换