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FDD3680

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FDD3680
商品编号: C556477
商品封装: TO-252-2
包装方式: 编带
商品毛重: 0.437克(g)

商品参数

商品概述

这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。其结果是，该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

商品特性

在VGS = 6 V时,RDS(ON) = 51 mΩ
25 A、100 V。在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 46 mΩ
低栅极电荷(典型值为38 nC)
快速开关速度
采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
高功率和电流处理能力。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	25A
	导通电阻(RDS(on))	46mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	68W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.4V
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	1.735nF
	反向传输电容(Crss)	53pF
	工作温度	-55℃~+175℃