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FDS86267P
1个P沟道 耐压:150V 电流:2.2A
- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS86267P
- 商品编号
- C556463
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 255mΩ@10V,2.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用先进的TrenchMOS超结技术，封装为175 °C LFPAK56的240 A标准电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。本产品专为高性能功率开关应用而设计并通过相关认证。
商品特性
- 连续最大漏极电流（ID(max)）额定值为240 A
- 雪崩额定，在单脉冲雪崩电流（IAS）= 190 A下进行100%测试
- 强大的安全工作区（线性模式）额定值
- NextPower-S3技术实现“超快速开关与软体二极管恢复”
- 低反向恢复电荷（QRR）、栅极电荷（QG）和栅极-漏极电荷（QGD），有助于实现高系统效率和低EMI设计
- 肖特基增强型体二极管，具有低体二极管正向电压（VSD）、低反向恢复电荷（QRR）、软恢复特性和低漏源泄漏电流（IDSS）
- 高可靠性LFPAK（Power SO8）封装，采用铜夹和焊料芯片连接，可在175°C下使用
- 外露引脚可进行波峰焊，便于目视检查焊点且焊点质量高
- 低寄生电感和电阻
应用领域
-高性能同步整流-DC-DC转换器-高性能、高效率服务器电源-无刷直流电机控制-电池保护-负载开关和电子保险丝-浪涌管理、热插拔
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