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FDS86267P
1个P沟道 耐压:150V 电流:2.2A
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- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS86267P
- 商品编号
- C556463
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 255mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 54pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造,该工艺集成了屏蔽栅技术。该工艺针对导通电阻进行了优化,同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = -10 V、ID = -2.2 A时,最大rDS(on) = 255 m Ω
- 在VGS = -6 V、ID = -2 A时,最大rDS(on) = 290 m Ω
- 极低的rDS(on)中压P沟道硅技术,针对低Qg进行了优化
- 本产品针对快速开关应用和负载开关应用进行了优化
- 100%通过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-有源钳位开关-负载开关