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FDMC4435BZ
1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- 这一P沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻而量身定制。 该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的功率管理和负载开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC4435BZ
- 商品编号
- C556450
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造,该工艺经过特别优化,可将导通电阻降至最低。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品特性
- 在 VGS = -10 V、ID = -8.5 A 时,最大 rDS(on) = 20 m Ω
- 在 VGS = -4.5 V、ID = -6.3 A 时,最大 rDS(on) = 37 m Ω
- 扩展的 VGSS 范围(-25 V),适用于电池应用
- 高性能沟槽技术,实现极低的 rDS(on)
- 高功率和电流处理能力
- 典型的HBM ESD保护等级 >7kV
- 100%进行UI L测试
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC降压转换器中的高端开关-笔记本电脑电池电源管理-笔记本电脑中的负载开关