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2V7002WT1G
1个N沟道 耐压:60V 电流:310mA
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- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。60V，340mA，1.6 Ω，单 N 沟道，SC-70。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 2V7002WT1G
- 商品编号
- C556395
- 商品封装
- SC-70
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 310mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 24.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为无引脚中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 静电放电(ESD)保护
- 低 RDS(on)
- 小尺寸表面贴装封装
- 适用于汽车及其他需要独特站点和控制变更要求的应用的2V前缀;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),且符合RoHS标准
应用领域
- 低端负载开关
- 电平转换电路
- DC-DC转换器
- 便携式应用,如数码相机(DSC)、个人数字助理(PDA)、手机等