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2V7002WT1G
1个N沟道 耐压:60V 电流:310mA
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- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。60V，340mA，1.6 Ω，单 N 沟道，SC-70。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 2V7002WT1G
- 商品编号
- C556395
- 商品封装
- SC-70
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 310mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 24.5pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为无引脚中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 扩展温度范围，结温Tj = 175℃
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装：2 × 2 × 0.65 mm
- 镀锡100%可焊侧焊盘，便于光学焊锡检查
- 静电放电（ESD）保护 > 1.5 kV HBM
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路