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NCV3020BDR2G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCV3020BDR2G

NCV3020BDR2G

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描述
NCP3020 是一款同步降压控制器(PWM 控制器),适合在较宽的输入范围内运行,能够产生低至 0.6 V 的输出电压。NCP3020A 提供集成的门极驱动器和内部设置的 300 kHz 振荡器(NCP3020B 为 600 kHz)。NCP3020 具有外部补偿跨导误差放大器,带有内部固定软启动。保护功能包括无损电流限值和短路保护、输出过电压保护、输出欠电压保护和输入欠压锁定。NCP3020 目前采用 SOIC-8 封装。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCV3020BDR2G
商品编号
C555502
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.178克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DC-DC电源芯片
功能类型降压型
工作电压4.7V~28V
输出电流-
开关频率600kHz
工作温度-40℃~+125℃@(TJ)
属性参数值
同步整流
输出通道数1
拓扑结构降压式
开关管(内置/外置)-
输出类型-

商品概述

NCP3020是一款PWM器件,设计用于在宽输入范围内工作,能够产生低至0.6 V的输出电压。NCP3020提供集成栅极驱动器和内部设定的300 kHz(NCP3020A)或600 kHz(NCP3020B)振荡器。NCP3020还具备外部补偿跨导误差放大器和内部固定软启动功能。保护特性包括无损电流限制和短路保护、输出过压保护、输出欠压保护以及输入欠压锁定。NCP3020目前采用SOIC - 8封装。 NCP3020A/B作为300/600 kHz、电压模式、脉冲宽度调制(PWM)同步降压转换器工作。它驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。NCP3020集成了一个内部升压电路,由升压钳位和升压二极管组成,为高端MOSFET栅极驱动器提供电源电压。NCP3020还集成了多项保护特性,包括输入欠压锁定(UVLO)、输出欠压(OUV)、输出过压(OOV)、可调高端电流限制(ISET和ILIM)以及热关断(TSD)。 运算跨导放大器(OTA)从Vout提供高增益误差信号,该信号与内部1.5 V峰 - 峰值斜坡信号进行比较,通过PWM比较器设置占空比转换器。在经过一段非重叠时间后,时钟周期的正边沿进入PWM比较器和触发器,从而开启高端开关。当调制器斜坡信号达到误差放大器设定的阈值电平,使PWM比较器输出触发时,高端开关关闭。栅极驱动器级在高端和低端MOSFET栅极驱动之间设置了固定的非重叠时间,以防止功率MOSFET发生交叉导通。 该器件包含内部上电复位(POR)和输入欠压锁定(UVLO)功能,在VCC达到各自的预定义电压电平(典型值4.3 V)之前,禁止内部逻辑和输出级工作。 一旦VCC超过UVLO上升阈值,器件便开始启动过程。经过400 μs延迟后开始闭环软启动,在此期间对升压电容充电,并设置电流限制阈值。

商品特性

  • 输入电压范围:4.7 V至28 V
  • 300 kHz工作频率(NCP3020B为600 kHz)
  • 0.6 V内部参考电压
  • 内部编程6.8 ms软启动(NCP3020B为4.4 ms)
  • 电流限制和短路保护
  • 带外部补偿的跨导放大器
  • 输入欠压锁定
  • 输出过压和欠压检测
  • 适用于汽车及其他需要场地和变更控制应用的NCV前缀
  • 这是一款无铅器件

数据手册PDF