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FDMC8010DC
1个N沟道 耐压:30V 电流:157A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8010DC
- 商品编号
- C555489
- 商品封装
- PQFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 157A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用安森美半导体（ON Semiconductor）先进的POWERTRENCH工艺制造。结合了硅技术和双散热（DUAL COOL）封装技术的优势，在保持出色开关性能的同时，通过极低的结到环境热阻实现了最低的导通电阻rDS(on)。
商品特性
- 双散热(DUAL COOL)顶部散热PQFN封装
- VGS = 10 V、ID = 37 A时,最大导通电阻rDS(on) = 1.28 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 32 A时,最大导通电阻rDS(on) = 1.74 mΩ
- 高性能技术实现极低导通电阻rDS(on)
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-负载开关-电机桥接开关-同步整流器