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FDMC86102L
耐压:100V 电流:18A
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- 描述
- N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86102L
- 商品编号
- C555493
- 商品封装
- PowerWDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench®工艺制造。该工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 7 A时，最大rDS(on) = 23 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 5.5 A时，最大rDS(on) = 34 mΩ
- 低外形——Power 33封装最大高度为1 mm
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流 - 直流转换