ISO5851QDWRQ1

ISO5851-Q1 是一款 5.7 kV_PMS 增强型隔离栅极驱动器，适用于 IGBT 和 MOSFET，源电流为 2.5 A，灌电流为 5 A。输入侧采用单个 3 V 至 5.5 V 电源供电。输出侧的电源范围为最低 15 V 至最高 30 V。两个互补的 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。76 ns 的短传播时间确保了输出级的精确控制。 内部去饱和（DESAT）故障检测功能可识别 IGBT 是否处于过载状态。检测到去饱和时，栅极驱动器输出被拉低至 V_EE2 电位，立即关断 IGBT。 去饱和激活时，故障信号会穿过隔离屏障，将输入侧的 FLT 输出拉低，并阻断隔离器输入。FLT 输出状态会被锁存，可通过 RST 输入的低电平有效脉冲进行复位。 在采用双极性输出电源的正常运行期间关断 IGBT 时，输出会被硬钳位至 V_EE2。如果输出电源为单极性，则可使用有源米勒钳位，使米勒电流通过低阻抗路径泄放，防止 IGBT 在高压瞬态条件下动态导通。 栅极驱动器的就绪状态由两个欠压锁定电路控制，分别监控输入侧和输出侧的电源。如果任一侧电源不足，RDY 输出将变为低电平；否则，该输出为高电平。 ISO5851-Q1 采用 16 引脚 SOIC 封装。器件的工作温度范围为 -40℃ 至 +125℃ 环境温度。

• 符合汽车应用标准，通过 AEC-Q100 认证，结果如下：
  • 器件温度等级 1：-40℃ 至 +125℃ 环境工作温度范围
  • 器件 HBM 分类等级 3A
  • 器件 CDM 分类等级 C6
• 在 V_CM = 1500 V 时，最小共模瞬态抗扰度（CMTI）为 100 kV/μs
• 峰值源电流 2.5 A，峰值灌电流 5 A
• 短传播延迟：典型值 76 ns，最大值 110 ns
• 2 A 有源米勒钳位输出
• 检测到去饱和时发出短路钳位故障警报，通过 FLT 信号显示，并可通过 RST 输入复位
• 输入和输出欠压锁定（UVLO），带有就绪（RDY）引脚指示
• 低电源或浮空输入时，输出有源下拉且默认输出低电平
• 输入电源电压 3 V 至 5.5 V
• 输出驱动器电源电压 15 V 至 30 V
• CMOS 兼容输入
• 可抑制短于 20 ns 的输入脉冲和噪声瞬变
• 隔离浪涌耐受电压 12800 V_PK
• 安全相关认证：
  • 符合 DIN V VDE V 0884-10（VDE V 0884-10）:2006-12 标准，V_IOTM 为 8000 V_PK，V_IORM 为 2121 V_PK 的增强型隔离
  • 符合 UL 1577 标准，1 分钟 5700 VRMS 隔离
  • 符合 CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950–1 和 IEC 60601–1 终端设备标准
  • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 的 TUV 认证
  • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
  • 所有认证齐全

• 隔离式 IGBT 和 MOSFET 驱动，应用于：
  • 混合动力电动汽车（HEV）和电动汽车（EV）电源模块
  • 工业电机控制驱动器
  • 工业电源
  • 太阳能逆变器
  • 感应加热