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RC60P04Y
1个P沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- 特性：60V。4.0A。RDS(ON) = 90mΩ @VGS = -10V。RDS(ON) = 125mΩ @VGS = -4.5V。高密单元设计，极低的RDS(ON)。坚固可靠
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC60P04Y
- 商品编号
- C5137085
- 商品封装
- SOT-23L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@4.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.135nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 30V/5.8A，在VGS = 10V时，RDS(ON) = 35mΩ（最大值）
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 40mΩ（最大值）
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) = 55mΩ（最大值）
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 可靠且耐用
- 采用SOT - 23表面贴装封装
- SOT - 23
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备和电池供电系统