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PHD97NQ03LT,118
1个N沟道 耐压:25V 电流:75A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PHD97NQ03LT,118
- 商品编号
- C552635
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.57nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻
- 无铅封装
- 快速开关特性适用于高频应用
- 逻辑电平阈值
应用领域
- 计算机主板高频DC - DC转换器
- 开关模式电源
- 电压调节器