- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PHP191NQ06LT,127
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PHP191NQ06LT,127
- 商品编号
- C552644
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.695克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 95.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.665nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 465pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.045nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±15V |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过认证。
商品特性
- 低导通电阻,降低传导损耗
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电机、灯具和螺线管
- 通用工业应用
- 不间断电源