温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PHKD3NQ10T,518
2个N沟道 耐压:100V 电流:3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PHKD3NQ10T,518
- 商品编号
- C552641
- 商品封装
- SOT-96
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的双路标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。
商品特性
- 低导通电阻,降低传导损耗
- 低外形设计,适用于紧凑设计
- 快速开关特性,适用于高频应用
应用领域
-直流-直流转换器-电机和继电器驱动器