嘉立创上市
购物车0
PHD9NQ20T,118引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PHD9NQ20T,118

PHD9NQ20T,118

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PHD9NQ20T,118
商品编号
C552636
商品封装
DPAK​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)8.7A
导通电阻(RDS(on))300mΩ@10V
耗散功率(Pd)88W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)24nC
属性参数值
输入电容(Ciss)959pF
反向传输电容(Crss)54pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)93pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品概述

采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。

商品特性

  • 低热阻,可实现更高的工作功率
  • 低导通电阻,降低传导损耗
  • 快速开关特性,适用于高频应用

应用领域

  • 直流到直流转换器
  • 通用开关
  • 电机控制电路
  • 离线开关模式电源
  • 电视和电脑显示器电源

数据手册PDF