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PHD9NQ20T,118
PHD9NQ20T,118
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PHD9NQ20T,118
- 商品编号
- C552636
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。
商品特性
- 低热阻,可实现更高的工作功率
- 低导通电阻,降低传导损耗
- 快速开关特性,适用于高频应用
应用领域
- 直流到直流转换器
- 通用开关
- 电机控制电路
- 离线开关模式电源
- 电视和电脑显示器电源