- 引脚图
- 焊盘图
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PHD38N02LT,118
PHD38N02LT,118
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PHD38N02LT,118
- 商品编号
- C552634
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 57.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.1nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 低导通电阻
- 2.5 V栅极驱动
应用领域
- 双倍数据速率(DDR)存储器线性稳压器