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HL3134KDA
N沟道MOSFET，具备ESD保护、无卤无锑，适用于负载开关、PWM应用和电源管理
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL3134KDA
- 商品编号
- C53155116
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 56pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- VDSS = 20 V
- ID = 0.8A
- RDS(on)@VGS = 4.5 V < 300 mΩ
- RDS(on)@VGS = 2.5V < 350mΩ
- RDS(on)@VGS = 1.8V < 700mΩ
- ESD保护（HBM）高达2KV
- 无卤素且不含锑
应用领域
- 负载开关
- 脉宽调制应用
- 电源管理