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HB06N100S
HB06N100S
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HB06N100S
- 商品编号
- C53155122
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.018nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 198pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | - |
商品特性
- V_DS = 60V
- I_D = 60A
- R_DS(on)@V_GS = 10V < 10mΩ
- R_DS(on)@V_GS = 4.5V < 14mΩ
- 快速开关
- 低栅极电荷和低导通电阻
- 先进的分裂栅沟槽技术
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理