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HL4953
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 596pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | - |
商品特性
- V_DS = -30 V
- I_D = -5.1 A
- R_DS(on)@V_GS = -10 V < 55 mΩ
- R_DS(on) @ V_GS = -4.5 V < 90 mΩ
- 低栅极电荷和低导通电阻
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 增强的dv/dt能力，高耐用性
应用领域
- 负载开关
- 电池保护应用