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HD503P130S
P沟道MOSFET，具备快速开关速度，符合ROHS标准且无卤，采用表面贴装封装
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD503P130S
- 商品编号
- C53155132
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.191923克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.511nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 223pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 252pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- V_DS = -30 V
- I_D = -50 A
- R_DS(on) @ V_GS = -10 V < 11.5 mΩ
- R_DS(on) @ V_GS = -4.5 V < 18 mΩ
- 快速开关速度
- 符合ROHS标准且无卤素
- 表面贴装封装
应用领域
- 无线冲击设备
- 锂电池保护电路
- 手机快充电路