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HB04P120S
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.398nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 274pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- V_DS = -40 V
- I_D = -40A
- R_DS(on) @ V_GS = -10 V < 12 mΩ
- R_DS(on) @ V_GS = -4.5 V < 17 mΩ
- 快速开关
- 低栅极电荷和低导通电阻
- 先进的分栅沟槽技术
应用领域
- 负载开关
- 脉宽调制应用
- 电源管理