商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 397pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压 V_DS = 20V
- 漏极电流 I_D = 8A
- 在栅源电压 V_GS = 4.5V 时，导通电阻 R_DS(on) < 28mΩ
- 在栅源电压 V_GS = 2.5V 时，导通电阻 R_DS(on) < 37mΩ
- 低栅极电荷和低导通电阻
- 先进高单元密度沟槽技术
- 增强的 dv/dt 能力，高耐用性
应用领域
- 负载开关
- 电池保护应用
- 不间断电源