- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HB04N070S
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- V_DS = 40V
- I_D = 60 A
- R_DS(on) @ V_GS = 10 V < 7 mΩ
- R_DS(on) @ V_GS = 4.5 V < 12 mΩ
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理