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HB06P160SG
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.645nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- V_DS = -60 V
- I_D = -60 A
- R_DS(on) @ V_GS = -10 V < 16 mΩ
- R_DS(on) @ V_GS = -4.5 V < 20 mΩ
- 低栅极电荷与导通电阻
- 快速开关速度
- 先进分栅沟槽技术
应用领域
- DC-DC转换器
- 便携设备
- 电源管理