商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 77W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- V_DS = -60 V
- I_D = -40 A
- V_GS = -10 V 时，R_DS(on) < 26 mΩ
- V_GS = -4.5 V 时，R_DS(on) < 30 mΩ
- 快速开关
- 低栅极电荷与导通电阻
- 先进分栅沟槽技术
应用领域
- 电池开关应用
- 硬开关与高频电路
- 电源管理