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HL3139KDA
P沟道 20V 650mA
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL3139KDA
- 商品编号
- C53155117
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 650mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.24nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 71pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 26pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 漏源电压 V_DSS = -20 V
- 漏极电流 I_D = -0.65 A
- 在 VGS = -4.5V 时，导通电阻 R < 850mΩ
- 在 VGS = -2.5V 时，导通电阻 R < 1200mΩ
- ESD 保护（人体模型）高达 2 kV
- 低栅极电荷和低导通电阻
应用领域
- 负载开关
- 脉宽调制应用
- 电源管理