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HL7002KD
N沟道MOSFET，具备快速开关、低栅极电荷和低反向传输电容特性，适用于负载开关和PWM应用
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL7002KD
- 商品编号
- C53155118
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 27pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
该产品为DFN1006-3L塑料封装MOSFET，其漏源电压为60 V，漏极电流为0.3 A。
商品特性
- V_DSS = 60 V
- I_D = 0.3 A
- R_DS(on) @ V_GS = 10 V < 3 Ω
- R_DS(on) @ V_GS = 4.5 V < 4 Ω
- 快速开关
- 低栅极电荷和低R_DS(ON)
- 低反向传输电容
应用领域
- 负载开关
- PWM应用