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SIHG100N65E-GE3-HXY
SIHG100N65E-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，在高频开关条件下展现出较低的导通损耗与优异的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源接入系统以及对功率密度有较高要求的电力电子应用，有助于提升整体系统能效与运行可靠性。
- 商品型号
- SIHG100N65E-GE3-HXY
- 商品编号
- C53133985
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.28克(g)
商品参数
参数完善中
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