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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IR2301PBF

红外整流器高端和低端驱动器

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描述
IR2301(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
商品型号
IR2301PBF
商品编号
C537623
商品封装
PDIP-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.975克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边;高边
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)350mA
拉电流(IOH)200mA
工作电压5V~20V
属性参数值
上升时间(tr)130ns
下降时间(tf)50ns
传播延迟 tpLH220ns
传播延迟 tpHL200ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
静态电流(Iq)120uA

商品概述

IR2301(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,可低至 3.3V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT,最高可工作在 600V。

商品特性

  • 浮动通道专为自举操作设计,最高可全功能工作至 +600V
  • 耐受负瞬态电压,抗 dV/dt 干扰
  • 栅极驱动电源范围为 5 至 20V
  • 双通道均具备欠压锁定功能
  • 兼容 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑
  • 双通道的传播延迟匹配
  • 逻辑地和功率地偏移 +/-5V
  • 较低的 di/dt 栅极驱动器,具备更好的抗噪性
  • 输出与输入同相
  • 也提供无铅 (PbF) 版本

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/管,最小起订量 1 个)
起订量:1 个3000个/管

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