温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPW65R190C7
1个N沟道 耐压:650V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。该产品组合提供了快速开关超结MOSFET的所有优点，具有更高的效率、更低的栅极电荷、易于实现和出色的可靠性。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW65R190C7
- 商品编号
- C537497
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 168mΩ@10V,5.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 72W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 17pF |
商品概述
CoolMOS 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。 CoolMOS C7 系列融合了领先的超结 MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。该产品组合具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，可提供更高效率、更低栅极电荷、易于应用且可靠性卓越。
商品特性
- 增强 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性
- 凭借同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss 和 RDS(on) * Qg 实现更高效率
- 同类最佳的 RDS(on)/封装
- 易于使用/驱动
- 无铅电镀，无卤模塑料
- 通过 JEDEC（J-STD20 和 JESD22）工业级应用认证
应用领域
- 用于计算机、服务器、电信、UPS 和太阳能的 PFC 级和硬开关 PWM 级