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IPL60R075CFD7

1个N沟道 耐压:650V 电流:21A

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描述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是为软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改善了关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合,同时在设计过程中易于实施
商品型号
IPL60R075CFD7
商品编号
C537017
商品封装
VSON-4(8x8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)21A
导通电阻(RDS(on))75mΩ@10V,15.1A
耗散功率(Pd)189W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)67nC@10V
输入电容(Ciss)2.721nF@400V
反向传输电容(Crss)53pF@400V
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

CoolMOS 是一项针对高压功率 MOSFET 的革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。最新的 CoolMOS CFD7 是 CoolMOS CFD2 系列的继任者,是为移相全桥(ZVS)和 LLC 等软开关应用量身定制的优化平台。凭借降低的栅极电荷(Qg)、同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)以及改进的关断特性,CoolMOS CFD7 在谐振拓扑中实现了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分,该新产品系列融合了快速开关技术的所有优势,同时具备出色的硬换向鲁棒性,且不影响设计过程中的易实现性。CoolMOS CFD7 技术符合最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。总体而言,CoolMOS CFD7 使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便且更凉爽。

商品特性

  • 超快体二极管
  • 低栅极电荷
  • 同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)
  • 改进的 MOSFET 反向二极管 dv/dt 和 diF/dt 鲁棒性
  • 最低的品质因数 RDS(on)*Qg 和 RDS(on)*Eoss
  • 贴片(SMD)和通孔(THD)封装中同类最佳的 RDS(on)

应用领域

  • 软开关拓扑
  • 移相全桥(ZVS)、LLC 应用——服务器、电信、电动汽车充电
  • 工业应用

数据手册PDF