IPI90R1K2C3
IPI90R1K2C3
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPI90R1K2C3
- 商品编号
- C537011
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时拥有出色的性价比和一流的易用性。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现超薄设计。
商品特性
- 最低品质因数 RON x Qg
- 极高的 dv/dt 额定值
- 高峰值电流能力
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- 超低栅极电荷
应用领域
-准谐振反激/正激拓扑-电脑银盒及消费类应用-工业开关电源